SPM/AFM在半導體工業之運用及實例
陳恆生 科榮股份有限公司
衣冠君 茂德科技股份有限公司(現任職:中芯半導體)
此文章-SPM在半導體工業之運用與實例,曾刊登於量測資訊57期,1997年9月.在此與大家分享.SPM技術變化快速,但相信此文章依然可以給新使用者,初步之認識.
一、前言
自從1982年 Binnig(1)等人發明了掃描式穿隧電流顯微儀（Scanning Tunneling Microscopy, STM），近十幾年來運用STM之架構，各界以不同之場作用回饋，陸續開發了很多近場顯微儀，目前將這些近場顯微術通稱為掃描式探針顯微儀（Scanning Probe Microscopy, SPM）。由於才十幾年之發展，目前有很多領域之應用正如火如荼的開發中。有關這一方面之介紹，國內先進人士，如精儀中心林鶴南博士於科儀新知(2)及中正大學蔡定平老師於量測資訊(3)中描述詳盡。
半導體工業早期均使用小工件機台之SPM做基礎研究。一直到1992年DI（Digital Instrument）公司開發出專利之Tapping Mode AFM (Atomic Force Microscopy)，及第一代大工件機台，且半導體製程線路縮小之技術開發需求，才使愈來愈多的半導體工業及研究單位均紛紛大量使用SPM，做半導體製程之表面分析，關鍵尺寸之量測。近來更開發出不同材料性質檢測之SPM。目前保守估計，約有300多台SPM於半導體相關產業使用中。在台灣幾乎每一家半導體廠均有SPM，估計約有20台於半導體工業界使用中，大大小小的SPM總數量約有超過3百台。
二、半導體工業使用SPM之應用簡介及AFM原理介紹
附表《1》為DI公司之經驗所整理之應用與SPM機種關係圖。
由表中可看出Tapping Mode AFM可使用在所有製程部門，其原因為
(1) 在非導電性及導體性之薄膜量測均適用。（無STM之限制）
(2) 可消除大氣中操作時，附著於表面2-5nm厚之水分子污染層對探針之干擾，而造成破壞表面及回饋錯誤（無Contact AFM及Non-Contact AFM之限制），如圖(1)說明。
(3) 對Step height之量測較準。如圖(2)。
(4) 衍生機種，如SCM（Scanning Capacitance Microscopy）, SThM（Scanning Thermal Microscopy）, EFM（Electrical Force Microscopy）, S.P.M（Surface Potential Meter）, Force Modulation，及Phase Image等，均可小幅度修改系統，即可到不同性質之表面狀況，這是以前所無法做到的。
上述(1)(2)(3)為半導體工業中之基本要求，也正因為Tapping Mode AFM能對所有半導體之表面做各式非破壞性量測（甚至軟如光阻之表面）；可以說SPM於半導體應用中，是以Tapping Mode AFM為主軸，而其原理如下(4)：
圖(1)中，由於大氣下操作時，表面層之水分子膜加上非對稱性之探針，造成探針兩側虹吸用力不同。當探針掃描時，此不對稱作用力造成探針臂偏折不穩定，而影響掃描穩定性，造成影像模糊，甚至破壞材料表面。圖(3)為Si之磊晶表面用Contact Mode AFM掃描所造成之不佳影像及表面受損。而Tapping Mode AFM是將探針提起，離表面一段距離，在探針上施以一振盪，利用探針臂本身共振之頻率，所產生之振幅，在探針做XY掃描時，量測探針振幅之變化來做回饋。其中探針離表面距離與探針振幅是具有大區域線性相關的，所以使用者可以很容易得到良好之回饋。針對不同之表面，使用者可以調整探針之振幅或離表面之距離。圖(4)為Tapping Mode AFM之系統設計圖。而與Contact Mode AFM在1986年同時期開發出來之Non-contact Mode AFM，為了使探針不與材料表面接觸，純粹以凡得瓦爾力之吸引力區來改變探針之振幅或頻率作回饋。因為不易操作及得不到好的回饋訊號，目前較少被使用。如果將Non-contact Mode之振幅變大，則將會遠大於凡得瓦爾力作用區，使探針不易感應凡得瓦爾力。若將探針振幅變小，則探針變動在材料表面相當近之地方，但太近則會被水分子膜將探針黏住，加上掃描太快，會造成回饋來不及，所以通常Non-contact Mode AFM很難應用於大氣下之操作。圖(5)為Tapping Mode AFM與Non-Contact Mode AFM之作用區比較圖。
Tapping Mode AFM除了上述描述之容易回饋外；由於其特殊設計，消除了橫向拖曳的破壞。且垂直壓力（約10-12nT）比contact Mode AFM（10-6nT）來的小很多，此力大概只能使材料在於Sub-Å之尺寸內做彈性變形，所以對材料是非破壞性的掃描(4)。圖(6)為Phase-Shift Mask之範例，其中A, B二線可看作α-Step profiler及Contact Mode AFM，掃描後，對材料表面之破壞，C線為Tapping Mode AFM之掃描，掃描後可看出非破壞性及所得到清晰Profile之狀況。
三、SPM操作之注意事項
因為SPM所量測之表面是非常微細之表面，在此種尺度下，如何減少量測誤差是非常重要的，而一般而言，會引起誤差之因素有：
(1)探針之尖銳度（Sharpness），此因素將主要控制橫向解析度（Lateral resolution）。一般而言，以探針前端之曲率來判別，大概在5～20nm之間。而探針在掃描時，操作不小心(振幅太大 - 相對於探針與工件之距離)多多少少會有一些磨損，而造成探針變鈍，引起解析度變差，造成影像變粗。根據未發表之資料顯示，探針並非越尖銳越好，因為此因素不易控制。目前DI公司已發表一套全自動探針確認系統，為市面上惟一可在線上操作時，了解探針狀況之系統，降低人為判別之誤差。在量半導體軟硬之表面粗糙度時，建議可用DLC (Diamond Like Coated) Tapping Mode AFM 探針，可降低操作不當之危險，且可增加探針之壽命。
(2)探針之幾何形狀：即探針夾端之夾角，為量測Step-Height及CD（深/寬比）時之指標，探針夾角的CD值要比CD值來的大，才能使探針掃描到CD之底部，這樣才能真正算出CD值。一般Tapping Mode AFM 探針採用n-type doped Si，利用select etching方式，製造成探針夾角約35°（非四方對稱）之角錐單晶。探針由於需要用雷射系統做回饋，在設計光之路徑時，加上探針本身非完美對稱性。在0°掃描造成CD之非對稱狀況，而引起量測不確定性。解決方法為用90°掃描（為更尖銳之對稱面）or使用特殊FIB加工探針或極細之探針，其CD側邊角度可量至87°至 88°。圖(7)為Tapping Mode AFM 探針與CD之關係圖。另外有一種EBD（Electron Beam Deposition）探針利用低真空，讓污染物（真空油為主）以碳化物型式鍍在Tapping Mode AFM 探針上，可得到探針角錐夾角約20°此方法便宜。但蒸鍍上之碳化物與Si有界，加上蒸鍍上之碳化物像海棉一般，掃描半導體材料時容易損壞，較適合於軟的材料表面，目前半導體上之用途不大。
(3)掃描尺寸之正確性：由於SPM均使用壓電陶瓷來做掃描器，以達到可做Å程度之掃描。但由於壓電材料本身之非線性/非方向性/老化等現象，掃描系統一定要定期做寬度/高度校正。目前已有NIST提供各式校正片。但由於Å Level之高度，目前尚沒有人工穩定之標準片，所以Z軸一定要採用Hard Piezo材料設計。僅讓Z軸移動非常小之區域，保持其絕佳線性化，如圖(8)所示。XY軸再由Soft-piezo材料做大尺寸移動，利用NIST之寬度校正片做校正。此法可讓只要一個掃描器，在高度上從Å Level至數um。及寬度上，由nm至約100um均可得到準確尺寸量測，而不用更換掃描器所引起之不方便性。
(4)環境干擾因素：外界之振動，躁音，空氣流動及內部的電路設計，掃描器設計，熱平衡均會影響到Rq在Å Level之表面量測。所以在此惟一可用AFM量測之表面，並非將機台隨便擺放，就可以得到Rq在Å Level之量測。加上半導體工業之工廠設計（建築物基本設計及週遭環境系統擺設）均會影響到已內建好的防震及防躁音系統。所以使用者必需考慮將此類機台放置於較剛性及低吵雜之環境。若取得之影像，亦必需儘量不要做太多之濾波動作（filter）。否則經過太多濾波動作，雖可得到看很平之表面，其結果將是呈現非真實之表面形狀。
四、SPM在半導體應用之實例
SPM在半導體製程上已正被大量使用，去了解過去未知的表面，進而控制及改善製程。有許多方面之應用，目前仍處於不公開狀態，在此僅提供一些應用方向，供讀者參考。附表(1)為SPM可在半導體製程上之運用，然而依分析之特性可先分為下列幾種特性表面：
(1)極平之表面：均方根粗糙度（Rq）約在Å之表面。如RCA Cleaning後之Gate Oxide表面等洗淨技術開發研究。CMP研磨後，介電層或金屬表面的分析。
(2)較粗之表面：Rq約在nm以上之表面，如Poly-Si, Rugged Poly-Si，及CMP之研磨後之表面。尤以Stack電容器製程控制之Rugged Poly-Si之表面，其高度落差相當大。
(3)寬度因素之表面：尤以不同Haze表面雖Rq相似，但其不同Haze之外觀截然不同。
(4)CD Step Height之表面：高低落差分明之表面，如Lithography中之各式應用，可觀察CD值（凹洞之深度 / 高度）。在CMP製程之pattern的topography，例如W-Plug的Extrusion及Recess等研究。
(5)殘留物之量測：光阻去除後，有無殘留光阻之研究。Bond Pad residue研究。利用Force Modulation及Phase Image法。
(6)Grain Size之影響研究。
(7)Implantation表面及經熱製程後，載子分佈狀況。利用SCM法。
(8) 電場分布及IC線路良好狀況檢查，可利用EFM,SPM或SThM來做Failure analysis.
以下為範例及相關資訊
a. 極平之表面（Oxide品質）
Cleaning後表面之狀況：不管是Wet or dry Cleaning均會造成不同表面。而此表面之粗糙狀況會引起後續製程之變異性。其中尤以10nm厚以下Gate Oxide在Cleaning後表面粗糙狀況，會引起不同EBD及QBD。Tadahiro Ohmi (5)曾提出不同Cleaning之Solution配製，所引起不同粗糙之表面對EBD及QBD之影響，其發現愈平坦之表面（較小之Ra，算術平均粗糙度）有較佳之EBD性質，而其Ra之計算甚至到0.2nm的狀況。由於此類影像，伴隨著nm級寬度分布，若取資料時，每隔1um才取一點影像，將使真正之表面不能真正表現出來，所以用光學方法其Spot size太大，取得之粗糙度，雖號稱可做到Rq為Å程度，其實並不真實。建議此類影像，用Tapping Mode AFM時，掃描尺寸不要超過3～5um，分析時要考慮Rmax（最高與最低處之落差）及寬度分布特性（可利用power spectrum），並加強防震系統。
b. 較粗之表面（Rugged Poly-Si電容性質及各種鍍膜）
在Rugged Poly-Si之製上，愈粗糙之Rugged Poly-Si表面，會因 C=ε* A/d之因素，因A（表面積）之增加，可增加DRAM之記憶容量。衣冠君博士(6)首先指出AFM是可以用於Rugged Poly-Si之量測，進而生產好的電容器。Yale E. Strausser (7)更指出，由於Rugged Poly-Si生成時之嚴苛溫度及氣體流量要求，利用AFM可以來監控LPCVD長成之Rugged Poly-Si表面積狀況，進而與電容做關連性之生產技巧方式的經驗累積。在半導體中有很多鍍膜，其中包括在oxide及non-oxide。蒸鍍中不管是PVD or CVD法，蒸鍍條件將影響薄膜之成核及成長。而薄膜性質可從表面狀況之粗糙度及晶粒小大找出製程控制參數。如W/Wsi/Ti/TiN/ TEOS/…等均可用Tapping Mode AFM 做定量分析。也可將這些data來確認機台之穩定性。此種表面，建議用DLC Tapping Mode AFM 探針來做。
c. CMP表面之探討
由於CMP製程之參數頗多，如研磨頭數/壓力/轉速/PH值/Slurry種類/研磨墊/研磨液種類及流量/工件位置/工件材質等因素，均會影響到研磨後之表面狀況。由於CMP之製程參數太多，且CMP研磨後之表面狀況為Å至nm級，AFM是必備的，否則無法瞭解研磨前/中/後之相關因素，而做參數調整及Know-how累積。Yale E. Strausser (8)指出AFM可量測SRAM ILD之Remove Rate計算，並發現在同一個Die之中的中間及邊緣區域其除去狀況不一樣。在不同Die，也有不同除去的狀況。不同材質之CMP在TEOS film中之W Plug，也會造成W-Plug在研磨時出現Extrusion及Recession狀況，而影響CMP後表面狀況。同時也發現因為CMP而將先前W-Plug製程上之Void顯現出來，而必須去改善先前W-Plug之製程。衣冠君(9)(10)指出不同之Slurry，會造成不同的CMP表面除去狀況，及W- CMP與WED對CONTACT PLUG的形成有不同影響。由於CMP之複雜性，每一家公司均會有不同之參數選擇，目前AFM是研究CMP之必備工具。圖(9)為CMP表面由Tapping Mode AFM 量出之結果。
d. Haze表面之研究
由於光散射儀具有快速掃描晶片，並依據訊號之特性，將晶片表面之缺陷分類出相關粗糙度之計算，而被半導體工業大量採用。James J. Shen (11)指示，在2.7um之pit用Laser Scatteometer量測下，量測結果比真實表面積有小於一個order之差，其原因為pit及Particle對Laser Scatteometer的反應特性不一。而AFM是比較真實的Review Station工具。Charles Evans & Associates (12)曾指出用Light Scattering方法與AFM方法所量測到Rq值有一線性關係，但Light Scattering方法得到的Rq值均偏低Å。其原因為Light Scattering方法其橫向解析度只有0.1um，造成有些橫向Feature之表面均量測不到。甚至比較粗的Feature, Light Scattering雖可得到與AFM相似的Rq值，但Light Scattering無法了解表面是bump or pit。而此種Haze也只能用AFM做真實之了解，然後做正確的處理，不然有可能造成誤診，而實行錯誤的改善行動。
e. CD值及Step-Height之量測
傳統之CD量測可用α-Step profiler or CD-SEM等來量測，但由於IC電路之縮小化，造成α-Step profiler無法將探針深入孔洞，或CD-SEM之高度量測會受狹小孔縫所干擾。目前AFM探針可藉由FIB（FOCUS ION BEAM）方法，將探針做成50nm直徑之棒狀探針，如此一來就可了解線寬至0.1um～0.15um的CD，且可以量測W-Plug在Etching back後之表面粗糙狀況，所以在CD之應用上，相信AFM在未來更細之IC線路設計上，會越來越重要。圖(5)為一般Tapping Mode AFM 探針與FIB探針之比較。
f. 光阻殘留量測（Force Modulation Method）
Yale E. Strausser指出 (13)，由於製程上若光阻在去除後，表面均會有凹凸不平，此表面之凹凸是本身Wafer不平或是殘留光阻，在一般SEM下是無法知道的。傳統方法是必須使用ESCA來分析，這樣造成費時且成本高。而Force Modulation，可以將材料之相對軟硬程度分別開，這樣一來便可快速，不需切割晶片的了解光阻去除情形，增快製程控制。圖(10)為Force Modulation是利用Contact Mode及Tapping Mode之組合，將探針依Contact-Mode操作，同時利用Bimorph來振盪探針接近探針夾之位置，此振盪會依探針尖端接觸材料之軟/硬，而被吸收掉。較軟之光阻會吸收較多之振盪，造成振盪影像較暗，與先前Tapping Mode AFM同位置突出（較亮）之明顯差異。惟一可解釋的即是原AFM影像中亮與暗之表面是非同一材質。而此製程中可以想像推出，原較亮之突起物為光阻殘留。如此一來便可確認光阻去除的狀況，圖(11)為範例影像。
g. Bond Pad上Polyimide去除不全（Phase Image Method）
Bond Pad為IC構裝上之一項方法。如先前Polyimide去除不乾淨，則後續之接著將會發生問題。由於Polyimide殘留在Bond Pad上之狀況，因Bond Pad本身高度落差頗大，造成影像分析時殘留之Polyimide不易用影像顯示方式分清。K.L. Babcock及C.B. Prater (14)用相位量測輔助振幅量測之Tapping Mode AFM，來加強Bond Pad與Polyimide之材質差異，對探針共振之相位影響程度之差異，分辨出是否有Polyimide。圖(12)為影像範例，其中Polyimide造成探針有120°之相位改變。圖(13)為相位量測Tapping Mode AFM之原理，只是將原先Tapping Mode AFM之振幅回饋，改成相位回饋，而不同材質會對探針做不同相位改變。取影像時，可用不同之相位改變，做不同之資料取得。
h. 載子濃度分布之影像分析（SCM）
長久以來，半導體對離子植入載子，經熱製程後之載子分布狀況，不是用簡單之SRP（Spreading Resistance Profile），或CV（Capacitance-Voltage），不然就是使用昂貴之SIMS（二次離子質譜儀）分析。其中僅能大約知道一共有多少載子濃度，而不知其分佈狀況，只能得到1維之分布狀況。SCM可想像成是縮小化之CV，但因掃描系統之設計，可做成2維之掃描，進而取得載子濃度之2維分布狀況。
SCM之量測可從晶片之表面掃描及縱切面掃描（Cross Section）來做不同應用。A.N Erickson (15)做出0.7um gate MOSFET之圖形，如圖(14)。而於圖(15)則可看出Implanting後之組織分布，甚至因Crystal defect則造成之Implanting形狀受到改變也可看到。
在DRAM Trench Capacitor Process中，一般也稱為Trench Sidewall Implant之應用中，利用Side Wall Implant製造隔離層之架構，如圖(16)之說明，可以利用縱切面法，使用一般Tapping Mode AFM及SCM同時看出完整Trench之架構。另外也可從晶片上方陸續研磨晶片之表面，而看出各不同深度之SCM影像。從這二種方法，均可協助在此製程中Sidewall Implant之品質監測。
SCM也可協助在TCAD（Technology Computer Aided Design）Simulators中，對新IC線路之Shorter gate length之模式做校正，以協助開發新IC製程。
SCM也被拿來分析Inp/In GaAsP Laser diode之組織架構分析。由於只須簡易劈裂，即可得到平整之縱切面，利用Inp層沒有自由載子，造成SCM無訊號而形成暗區。但在n-doped區，則SCM訊號強烈，而形成亮區，如此即可明顯看出整個Lose diode之組織，如圖(17)。此法，比起傳統TEM法，來的更快，而且也有電的訊號。
SCM目前市場上市不到一年，DI公司已有40幾套系統使用中。相信必會成為SPM中，下一個在半導體中產業分析上重要之利器。
i. 電路量測
在已製造好之線路中，常因各種因素，造成IC之線路有漏電、短路及電壓下降等現象。目前SPM因探針細小，可在回饋系統上做一些改變而形成新的SPM。
i.1 EFM (Electrical Force Microscopy)
原理為在探針上鍍上一層導電性薄膜，然後在探針與元件之間，加上偏壓，此偏壓會改變原探針之共振的振幅及相位。此現象可觀察如圖(18)之線路漏電，但不能知道區域之電壓多少。
i.2 S.P.M (Surface Potential Meter)
同上，使用導電探針，但此時加上之偏壓是由交流與直流同時施行。如同物理上之Kevin Probe現象，可看出線路上電壓值。圖(19)為例子。
i.3 SThM (Scanning Thermal Microscopy)
此法可看作熱電偶縮小化。在通電之IC上，會造成週遭電磁場變化，進而引起溫度變化。圖(20)為先利用Emission Microscopy先找出已完成IC之缺失處，再利用一般AFM, EFM及SThM所取得之影像。最後證實此Transistor之損壞，起因為gate oxide短路造成。而gate oxide短路在製程中之監控可用先前a項說明得知。
j. 其它方法
其於SPM具微細探針及掃描系統，仍有不少系統延續先前Micro-Scale或更大尺寸之探針系統，將探針微細化，做成新的SPM，並在薄膜工業上做出更方便及更微細之量測。下面僅提供一些參考：
j.1 Nano-indenting
將先前Micro-hardness之觀念導入，將STM or AFM探針前端裝上鑽石，此探針可做出nano-handness，並可掃描取得indenting後之表面狀況。而薄膜之機械性質與塊材之機械性質是大有不同的。目前半導體業上，將使用於DLC（Diamond like carbon）鍍層之量測。由於DLC是鑽石結構（SP3）及石墨結構（SP2）之混合。在製程上氫氣含量於DLC形成時，將造成SP3與SP2不同之組合，最後造成DLC膜不同之硬度，對隨後DLC之性質有重大影響。Nano-indenting將提供第一手資料，並與Raman光譜儀做比對，製造出軟硬適中之DLC膜。太硬之DLC膜則不易後續加工，並易裂。較軟之DLC則無保護作用。
另外有關CMP研磨，不同材質與硬度之關係，目前亦有人正在研究，期望對CMP製程有基礎性之了解，並進而解決目前CMP製程之相關問題。
j2. 近場光學之研究
對於某些發光元件，因元件之微細化，可利用特殊光纖來量測發光區之範圍及強度，及利用此光纖訊號做各種光譜分析。此部分請參考量測資訊第54期p.29中正大學蔡定平老師之描述。
k. 自動化及相容性
SPM系統目前有非常多種，早期均是由實驗室開發。對於半導體業，則需求線上量測之可能性或更方便、省時之需求。目前SPM之廠商也陸續開發出下述週邊功能，以增加實用性：
k.1 : 8吋及未來12吋之機種
k.2 : 具有cassette loading裝置
k.3 : 具有探針確認系統
k.4 : 具有自動換探針系統
k.5 : 具有與其它Defect Map儀器之相容性，當Review station.
k.6 : 具有Pattern Recognition做精準定位
k.7 : 具有SECS or GEM等訊息傳輸系統
k.8 : 具有Mini-environment之SMIF or indexer介面
k.9 : 具有上述自動化之功能，以利操作者使用
上述功能目前均已成熟，並正提供半導體業界使用。圖(21)為DI公司專為半導體業線上量測，所開發之D9000機型，擁有上述所有功能。
六、結論
經由上述之描述，希望能讓讀者對SPM系統有初步之概念。加上SPM系統發展不過十幾年，新的概念不斷提出，希望此篇文章能給半導體界在選擇合適之SPM前，做一簡單之了解。由於SPM機種頗多，且各機種之功能取向有所不同，並非每一種SPM均可看到原子解析度（橫向解析度在Å Level）。所以使用者必需清楚欲觀察表面之特性及選擇SPM機種及操作方式。如果今天將機台定位在觀察Poly-Si, Rugged Poly-Si及CMP之W-plug處理之表面量測，或許環境干擾因素就不是很重要。但如果將SPM定位於全廠各種應用，則使用者就必需考慮Cost of Ownership（每一機台可提供多少應用）及環境干擾因素。
七、感謝
感謝DI公司，科榮股份有限公司及茂德科技股份有限公司提供詳細資料及圖片，並在中正大學物理系蔡定平老師及精儀中心林鶴南博士之指正下完成此文章。
八、參考文獻
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4. C.B. Prater, P.G. Mailvald, K.J. Kjoller, M.G. Heaton, DI brochure AN04, Rev. 3-97, “TAPPINGMODETM IMAGING APPLICATIONS AND TECHNOLOGY ”
5. Tadahiro Ohmi, M. Miyashita, M. Itano, T. Imaoka, I. Kawanabe, IEEE transactions on electron device, Vol. 39, March 1992, page. 537
6. Champion Yi, Michael Wu, William Su, Thomas Chang, “Rugged Polysilicon as underlayer for ONO capacitor for high density DRAMs.” SEMI TAIWAN Technical Symposium, page.181(1995)
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11. James J. Shen, Lee M. Cook, “Meeting the Challenge of submicron defect characterization on final-polished wafers ” , MICRO, March, 1997, P. 53.
12. Charles Evans and Associates brochure, “Silicon Wafer Analysis by AFM”, 1994, July.
13. Y.E. Strausser and M.G. Heaton, DI brochure AN07, 9/95. “IC FAILURE ANALYSIS AND DEFECT INSPECTION WITH SCANNING PROBE MICROSCOPY.”
14. K.L. Babcock, C.B. Prater, DI brochure AN11, 10/95, “Phase Imaging : Beyond Topography.”
15. A.N. Erickson, D.M. Adderton, Y.E. Strausser, R.J. Tench, DI brochure AN16, 9/96, “Scanning Capacitance Microscopy for Carrier Profiling in Semiconductors.”
九、 作者簡介
陳恆生 台灣大學材料工程研究所,民國77年碩士班畢業。
清華大學材料系86級。
經歷:科榮股份有限公司材料分析部門協理,代理事業處營業主管。
現職:科誠科技有限公司副總經理.
衣冠君 美國哥倫比亞大學材料博士。
現職:中芯半導體.經歷
茂德科技股份有限公司
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