SPM/AFM在半导体工业之运用及实例
陈恒生 科荣股份有限公司
衣冠君 茂德科技股份有限公司(现任职:中芯半导体)
此文章-SPM在半导体工业之运用与实例,曾刊登于量测资讯57期,1997年9月.在此与大家分享.SPM技术变化快速,但相信此文章依然可以给新使用者,初步之认识.
一、前言
自从1982年 Binnig(1)等人发明了扫描式穿隧电流显微仪（Scanning Tunneling Microscopy, STM），近十几年来运用STM之架构，各界以不同之场作用回馈，陆续开发了很多近场显微仪，目前将这些近场显微术通称为扫描式探针显微仪（Scanning Probe Microscopy, SPM）。由于才十几年之发展，目前有很多领域之应用正如火如荼的开发中。有关这一方面之介绍，国内先进人士，如精仪中心林鹤南博士于科仪新知(2)及中正大学蔡定平老师于量测资讯(3)中描述详尽。
半导体工业早期均使用小工件机台之SPM做基础研究。一直到1992年DI（Digital Instrument）公司开发出专利之Tapping Mode AFM (Atomic Force Microscopy)，及第一代大工件机台，且半导体制程线路缩小之技术开发需求，才使愈来愈多的半导体工业及研究单位均纷纷大量使用SPM，做半导体制程之表面分析，关键尺寸之量测。近来更开发出不同材料性质检测之SPM。目前保守估计，约有300多台SPM于半导体相关产业使用中。在台湾几乎每一家半导体厂均有SPM，估计约有20台于半导体工业界使用中，大大小小的SPM总数量约有超过3百台。
二、半导体工业使用SPM之应用简介及AFM原理介绍
附表《1》为DI公司之经验所整理之应用与SPM机种关系图。
由表中可看出Tapping Mode AFM可使用在所有制程部门，其原因为
(1) 在非导电性及导体性之薄膜量测均适用。（无STM之限制）
(2) 可消除大气中操作时，附着于表面2-5nm厚之水分子污染层对探针之干扰，而造成破坏表面及回馈错误（无Contact AFM及Non-Contact AFM之限制），如图(1)说明。
(3) 对Step height之量测较准。如图(2)。
(4) 衍生机种，如SCM（Scanning Capacitance Microscopy）, SThM（Scanning Thermal Microscopy）, EFM（Electrical Force Microscopy）, S.P.M（Surface Potential Meter）, Force Modulation，及Phase Image等，均可小幅度修改系统，即可到不同性质之表面状况，这是以前所无法做到的。
上述(1)(2)(3)为半导体工业中之基本要求，也正因为Tapping Mode AFM能对所有半导体之表面做各式非破坏性量测（甚至软如光阻之表面）；可以说SPM于半导体应用中，是以Tapping Mode AFM为主轴，而其原理如下(4)：
图(1)中，由于大气下操作时，表面层之水分子膜加上非对称性之探针，造成探针两侧虹吸用力不同。当探针扫描时，此不对称作用力造成探针臂偏折不稳定，而影响扫描稳定性，造成影像模糊，甚至破坏材料表面。图(3)为Si之磊晶表面用Contact Mode AFM扫描所造成之不佳影像及表面受损。而Tapping Mode AFM是将探针提起，离表面一段距离，在探针上施以一振荡，利用探针臂本身共振之频率，所产生之振幅，在探针做XY扫描时，量测探针振幅之变化来做回馈。其中探针离表面距离与探针振幅是具有大区域线性相关的，所以使用者可以很容易得到良好之回馈。针对不同之表面，使用者可以调整探针之振幅或离表面之距离。图(4)为Tapping Mode AFM之系统设计图。而与Contact Mode AFM在1986年同时期开发出来之Non-contact Mode AFM，为了使探针不与材料表面接触，纯粹以凡得瓦尔力之吸引力区来改变探针之振幅或频率作回馈。因为不易操作及得不到好的回馈讯号，目前较少被使用。如果将Non-contact Mode之振幅变大，则将会远大于凡得瓦尔力作用区，使探针不易感应凡得瓦尔力。若将探针振幅变小，则探针变动在材料表面相当近之地方，但太近则会被水分子膜将探针黏住，加上扫描太快，会造成回馈来不及，所以通常Non-contact Mode AFM很难应用于大气下之操作。图(5)为Tapping Mode AFM与Non-Contact Mode AFM之作用区比较图。
Tapping Mode AFM除了上述描述之容易回馈外；由于其特殊设计，消除了横向拖曳的破坏。且垂直压力（约10-12nT）比contact Mode AFM（10-6nT）来的小很多，此力大概只能使材料在于Sub-Å之尺寸内做弹性变形，所以对材料是非破坏性的扫描(4)。图(6)为Phase-Shift Mask之范例，其中A, B二线可看作α-Step profiler及Contact Mode AFM，扫描后，对材料表面之破坏，C线为Tapping Mode AFM之扫描，扫描后可看出非破坏性及所得到清晰Profile之状况。
三、SPM操作之注意事项
因为SPM所量测之表面是非常微细之表面，在此种尺度下，如何减少量测误差是非常重要的，而一般而言，会引起误差之因素有：
(1)探针之尖锐度（Sharpness），此因素将主要控制横向解析度（Lateral resolution）。一般而言，以探针前端之曲率来判别，大概在5～20nm之间。而探针在扫描时，操作不小心(振幅太大 - 相对于探针与工件之距离)多多少少会有一些磨损，而造成探针变钝，引起解析度变差，造成影像变粗。根据未发表之资料显示，探针并非越尖锐越好，因为此因素不易控制。目前DI公司已发表一套全自动探针确认系统，为市面上惟一可在线上操作时，了解探针状况之系统，降低人为判别之误差。在量半导体软硬之表面粗糙度时，建议可用DLC (Diamond Like Coated) Tapping Mode AFM 探针，可降低操作不当之危险，且可增加探针之寿命。
(2)探针之几何形状：即探针夹端之夹角，为量测Step-Height及CD（深/宽比）时之指标，探针夹角的CD值要比CD值来的大，才能使探针扫描到CD之底部，这样才能真正算出CD值。一般Tapping Mode AFM 探针采用n-type doped Si，利用select etching方式，制造成探针夹角约35°（非四方对称）之角锥单晶。探针由于需要用雷射系统做回馈，在设计光之路径时，加上探针本身非完美对称性。在0°扫描造成CD之非对称状况，而引起量测不确定性。解决方法为用90°扫描（为更尖锐之对称面）or使用特殊FIB加工探针或极细之探针，其CD侧边角度可量至87°至 88°。图(7)为Tapping Mode AFM 探针与CD之关系图。另外有一种EBD（Electron Beam Deposition）探针利用低真空，让污染物（真空油为主）以碳化物型式镀在Tapping Mode AFM 探针上，可得到探针角锥夹角约20°此方法便宜。但蒸镀上之碳化物与Si有界，加上蒸镀上之碳化物像海棉一般，扫描半导体材料时容易损坏，较适合于软的材料表面，目前半导体上之用途不大。
(3)扫描尺寸之正确性：由于SPM均使用压电陶瓷来做扫描器，以达到可做Å程度之扫描。但由于压电材料本身之非线性/非方向性/老化等现象，扫描系统一定要定期做宽度/高度校正。目前已有NIST提供各式校正片。但由于Å Level之高度，目前尚没有人工稳定之标准片，所以Z轴一定要采用Hard Piezo材料设计。仅让Z轴移动非常小之区域，保持其绝佳线性化，如图(8)所示。XY轴再由Soft-piezo材料做大尺寸移动，利用NIST之宽度校正片做校正。此法可让只要一个扫描器，在高度上从Å Level至数um。及宽度上，由nm至约100um均可得到准确尺寸量测，而不用更换扫描器所引起之不方便性。
(4)环境干扰因素：外界之振动，躁音，空气流动及内部的电路设计，扫描器设计，热平衡均会影响到Rq在Å Level之表面量测。所以在此惟一可用AFM量测之表面，并非将机台随便摆放，就可以得到Rq在Å Level之量测。加上半导体工业之工厂设计（建筑物基本设计及周遭环境系统摆设）均会影响到已内建好的防震及防躁音系统。所以使用者必需考虑将此类机台放置于较刚性及低吵杂之环境。若取得之影像，亦必需尽量不要做太多之滤波动作（filter）。否则经过太多滤波动作，虽可得到看很平之表面，其结果将是呈现非真实之表面形状。
四、SPM在半导体应用之实例
SPM在半导体制程上已正被大量使用，去了解过去未知的表面，进而控制及改善制程。有许多方面之应用，目前仍处于不公开状态，在此仅提供一些应用方向，供读者参考。附表(1)为SPM可在半导体制程上之运用，然而依分析之特性可先分为下列几种特性表面：
(1)极平之表面：均方根粗糙度（Rq）约在Å之表面。如RCA Cleaning后之Gate Oxide表面等洗净技术开发研究。CMP研磨后，介电层或金属表面的分析。
(2)较粗之表面：Rq约在nm以上之表面，如Poly-Si, Rugged Poly-Si，及CMP之研磨后之表面。尤以Stack电容器制程控制之Rugged Poly-Si之表面，其高度落差相当大。
(3)宽度因素之表面：尤以不同Haze表面虽Rq相似，但其不同Haze之外观截然不同。
(4)CD Step Height之表面：高低落差分明之表面，如Lithography中之各式应用，可观察CD值（凹洞之深度 / 高度）。在CMP制程之pattern的topography，例如W-Plug的Extrusion及Recess等研究。
(5)残留物之量测：光阻去除后，有无残留光阻之研究。Bond Pad residue研究。利用Force Modulation及Phase Image法。
(6)Grain Size之影响研究。
(7)Implantation表面及经热制程后，载子分布状况。利用SCM法。
(8) 电场分布及IC线路良好状况检查，可利用EFM,SPM或SThM来做Failure analysis.
以下为范例及相关资讯
a. 极平之表面（Oxide品质）
Cleaning后表面之状况：不管是Wet or dry Cleaning均会造成不同表面。而此表面之粗糙状况会引起后续制程之变异性。其中尤以10nm厚以下Gate Oxide在Cleaning后表面粗糙状况，会引起不同EBD及QBD。Tadahiro Ohmi (5)曾提出不同Cleaning之Solution配制，所引起不同粗糙之表面对EBD及QBD之影响，其发现愈平坦之表面（较小之Ra，算术平均粗糙度）有较佳之EBD性质，而其Ra之计算甚至到0.2nm的状况。由于此类影像，伴随着nm级宽度分布，若取资料时，每隔1um才取一点影像，将使真正之表面不能真正表现出来，所以用光学方法其Spot size太大，取得之粗糙度，虽号称可做到Rq为Å程度，其实并不真实。建议此类影像，用Tapping Mode AFM时，扫描尺寸不要超过3～5um，分析时要考虑Rmax（最高与最低处之落差）及宽度分布特性（可利用power spectrum），并加强防震系统。
b. 较粗之表面（Rugged Poly-Si电容性质及各种镀膜）
在Rugged Poly-Si之制上，愈粗糙之Rugged Poly-Si表面，会因 C=ε* A/d之因素，因A（表面积）之增加，可增加DRAM之记忆容量。衣冠君博士(6)首先指出AFM是可以用于Rugged Poly-Si之量测，进而生产好的电容器。Yale E. Strausser (7)更指出，由于Rugged Poly-Si生成时之严苛温度及气体流量要求，利用AFM可以来监控LPCVD长成之Rugged Poly-Si表面积状况，进而与电容做关连性之生产技巧方式的经验累积。在半导体中有很多镀膜，其中包括在oxide及non-oxide。蒸镀中不管是PVD or CVD法，蒸镀条件将影响薄膜之成核及成长。而薄膜性质可从表面状况之粗糙度及晶粒小大找出制程控制参数。如W/Wsi/Ti/TiN/ TEOS/…等均可用Tapping Mode AFM 做定量分析。也可将这些data来确认机台之稳定性。此种表面，建议用DLC Tapping Mode AFM 探针来做。
c. CMP表面之探讨
由于CMP制程之参数颇多，如研磨头数/压力/转速/PH值/Slurry种类/研磨垫/研磨液种类及流量/工件位置/工件材质等因素，均会影响到研磨后之表面状况。由于CMP之制程参数太多，且CMP研磨后之表面状况为Å至nm级，AFM是必备的，否则无法了解研磨前/中/后之相关因素，而做参数调整及Know-how累积。Yale E. Strausser (8)指出AFM可量测SRAM ILD之Remove Rate计算，并发现在同一个Die之中的中间及边缘区域其除去状况不一样。在不同Die，也有不同除去的状况。不同材质之CMP在TEOS film中之W Plug，也会造成W-Plug在研磨时出现Extrusion及Recession状况，而影响CMP后表面状况。同时也发现因为CMP而将先前W-Plug制程上之Void显现出来，而必须去改善先前W-Plug之制程。衣冠君(9)(10)指出不同之Slurry，会造成不同的CMP表面除去状况，及W- CMP与WED对CONTACT PLUG的形成有不同影响。由于CMP之复杂性，每一家公司均会有不同之参数选择，目前AFM是研究CMP之必备工具。图(9)为CMP表面由Tapping Mode AFM 量出之结果。
d. Haze表面之研究
由于光散射仪具有快速扫描晶片，并依据讯号之特性，将晶片表面之缺陷分类出相关粗糙度之计算，而被半导体工业大量采用。James J. Shen (11)指示，在2.7um之pit用Laser Scatteometer量测下，量测结果比真实表面积有小于一个order之差，其原因为pit及Particle对Laser Scatteometer的反应特性不一。而AFM是比较真实的Review Station工具。Charles Evans & Associates (12)曾指出用Light Scattering方法与AFM方法所量测到Rq值有一线性关系，但Light Scattering方法得到的Rq值均偏低Å。其原因为Light Scattering方法其横向解析度只有0.1um，造成有些横向Feature之表面均量测不到。甚至比较粗的Feature, Light Scattering虽可得到与AFM相似的Rq值，但Light Scattering无法了解表面是bump or pit。而此种Haze也只能用AFM做真实之了解，然后做正确的处理，不然有可能造成误诊，而实行错误的改善行动。
e. CD值及Step-Height之量测
传统之CD量测可用α-Step profiler or CD-SEM等来量测，但由于IC电路之缩小化，造成α-Step profiler无法将探针深入孔洞，或CD-SEM之高度量测会受狭小孔缝所干扰。目前AFM探针可藉由FIB（FOCUS ION BEAM）方法，将探针做成50nm直径之棒状探针，如此一来就可了解线宽至0.1um～0.15um的CD，且可以量测W-Plug在Etching back后之表面粗糙状况，所以在CD之应用上，相信AFM在未来更细之IC线路设计上，会越来越重要。图(5)为一般Tapping Mode AFM 探针与FIB探针之比较。
f. 光阻残留量测（Force Modulation Method）
Yale E. Strausser指出 (13)，由于制程上若光阻在去除后，表面均会有凹凸不平，此表面之凹凸是本身Wafer不平或是残留光阻，在一般SEM下是无法知道的。传统方法是必须使用ESCA来分析，这样造成费时且成本高。而Force Modulation，可以将材料之相对软硬程度分别开，这样一来便可快速，不需切割晶片的了解光阻去除情形，增快制程控制。图(10)为Force Modulation是利用Contact Mode及Tapping Mode之组合，将探针依Contact-Mode操作，同时利用Bimorph来振荡探针接近探针夹之位置，此振荡会依探针尖端接触材料之软/硬，而被吸收掉。较软之光阻会吸收较多之振荡，造成振荡影像较暗，与先前Tapping Mode AFM同位置突出（较亮）之明显差异。惟一可解释的即是原AFM影像中亮与暗之表面是非同一材质。而此制程中可以想像推出，原较亮之突起物为光阻残留。如此一来便可确认光阻去除的状况，图(11)为范例影像。
g. Bond Pad上Polyimide去除不全（Phase Image Method）
Bond Pad为IC构装上之一项方法。如先前Polyimide去除不干净，则后续之接着将会发生问题。由于Polyimide残留在Bond Pad上之状况，因Bond Pad本身高度落差颇大，造成影像分析时残留之Polyimide不易用影像显示方式分清。K.L. Babcock及C.B. Prater (14)用相位量测辅助振幅量测之Tapping Mode AFM，来加强Bond Pad与Polyimide之材质差异，对探针共振之相位影响程度之差异，分辨出是否有Polyimide。图(12)为影像范例，其中Polyimide造成探针有120°之相位改变。图(13)为相位量测Tapping Mode AFM之原理，只是将原先Tapping Mode AFM之振幅回馈，改成相位回馈，而不同材质会对探针做不同相位改变。取影像时，可用不同之相位改变，做不同之资料取得。
h. 载子浓度分布之影像分析（SCM）
长久以来，半导体对离子植入载子，经热制程后之载子分布状况，不是用简单之SRP（Spreading Resistance Profile），或CV（Capacitance-Voltage），不然就是使用昂贵之SIMS（二次离子质谱仪）分析。其中仅能大约知道一共有多少载子浓度，而不知其分布状况，只能得到1维之分布状况。SCM可想像成是缩小化之CV，但因扫描系统之设计，可做成2维之扫描，进而取得载子浓度之2维分布状况。
SCM之量测可从晶片之表面扫描及纵切面扫描（Cross Section）来做不同应用。A.N Erickson (15)做出0.7um gate MOSFET之图形，如图(14)。而于图(15)则可看出Implanting后之组织分布，甚至因Crystal defect则造成之Implanting形状受到改变也可看到。
在DRAM Trench Capacitor Process中，一般也称为Trench Sidewall Implant之应用中，利用Side Wall Implant制造隔离层之架构，如图(16)之说明，可以利用纵切面法，使用一般Tapping Mode AFM及SCM同时看出完整Trench之架构。另外也可从晶片上方陆续研磨晶片之表面，而看出各不同深度之SCM影像。从这二种方法，均可协助在此制程中Sidewall Implant之品质监测。
SCM也可协助在TCAD（Technology Computer Aided Design）Simulators中，对新IC线路之Shorter gate length之模式做校正，以协助开发新IC制程。
SCM也被拿来分析Inp/In GaAsP Laser diode之组织架构分析。由于只须简易劈裂，即可得到平整之纵切面，利用Inp层没有自由载子，造成SCM无讯号而形成暗区。但在n-doped区，则SCM讯号强烈，而形成亮区，如此即可明显看出整个Lose diode之组织，如图(17)。此法，比起传统TEM法，来的更快，而且也有电的讯号。
SCM目前市场上市不到一年，DI公司已有40几套系统使用中。相信必会成为SPM中，下一个在半导体中产业分析上重要之利器。
i. 电路量测
在已制造好之线路中，常因各种因素，造成IC之线路有漏电、短路及电压下降等现象。目前SPM因探针细小，可在回馈系统上做一些改变而形成新的SPM。
i.1 EFM (Electrical Force Microscopy)
原理为在探针上镀上一层导电性薄膜，然后在探针与元件之间，加上偏压，此偏压会改变原探针之共振的振幅及相位。此现象可观察如图(18)之线路漏电，但不能知道区域之电压多少。
i.2 S.P.M (Surface Potential Meter)
同上，使用导电探针，但此时加上之偏压是由交流与直流同时施行。如同物理上之Kevin Probe现象，可看出线路上电压值。图(19)为例子。
i.3 SThM (Scanning Thermal Microscopy)
此法可看作热电偶缩小化。在通电之IC上，会造成周遭电磁场变化，进而引起温度变化。图(20)为先利用Emission Microscopy先找出已完成IC之缺失处，再利用一般AFM, EFM及SThM所取得之影像。最后证实此Transistor之损坏，起因为gate oxide短路造成。而gate oxide短路在制程中之监控可用先前a项说明得知。
j. 其它方法
其于SPM具微细探针及扫描系统，仍有不少系统延续先前Micro-Scale或更大尺寸之探针系统，将探针微细化，做成新的SPM，并在薄膜工业上做出更方便及更微细之量测。下面仅提供一些参考：
j.1 Nano-indenting
将先前Micro-hardness之观念导入，将STM or AFM探针前端装上钻石，此探针可做出nano-handness，并可扫描取得indenting后之表面状况。而薄膜之机械性质与块材之机械性质是大有不同的。目前半导体业上，将使用于DLC（Diamond like carbon）镀层之量测。由于DLC是钻石结构（SP3）及石墨结构（SP2）之混合。在制程上氢气含量于DLC形成时，将造成SP3与SP2不同之组合，最后造成DLC膜不同之硬度，对随后DLC之性质有重大影响。Nano-indenting将提供第一手资料，并与Raman光谱仪做比对，制造出软硬适中之DLC膜。太硬之DLC膜则不易后续加工，并易裂。较软之DLC则无保护作用。
另外有关CMP研磨，不同材质与硬度之关系，目前亦有人正在研究，期望对CMP制程有基础性之了解，并进而解决目前CMP制程之相关问题。
j2. 近场光学之研究
对于某些发光元件，因元件之微细化，可利用特殊光纤来量测发光区之范围及强度，及利用此光纤讯号做各种光谱分析。此部分请参考量测资讯第54期p.29中正大学蔡定平老师之描述。
k. 自动化及相容性
SPM系统目前有非常多种，早期均是由实验室开发。对于半导体业，则需求线上量测之可能性或更方便、省时之需求。目前SPM之厂商也陆续开发出下述周边功能，以增加实用性：
k.1 : 8寸及未来12寸之机种
k.2 : 具有cassette loading装置
k.3 : 具有探针确认系统
k.4 : 具有自动换探针系统
k.5 : 具有与其它Defect Map仪器之相容性，当Review station.
k.6 : 具有Pattern Recognition做精准定位
k.7 : 具有SECS or GEM等讯息传输系统
k.8 : 具有Mini-environment之SMIF or indexer介面
k.9 : 具有上述自动化之功能，以利操作者使用
上述功能目前均已成熟，并正提供半导体业界使用。图(21)为DI公司专为半导体业线上量测，所开发之D9000机型，拥有上述所有功能。
六、结论
经由上述之描述，希望能让读者对SPM系统有初步之概念。加上SPM系统发展不过十几年，新的概念不断提出，希望此篇文章能给半导体界在选择合适之SPM前，做一简单之了解。由于SPM机种颇多，且各机种之功能取向有所不同，并非每一种SPM均可看到原子解析度（横向解析度在Å Level）。所以使用者必需清楚欲观察表面之特性及选择SPM机种及操作方式。如果今天将机台定位在观察Poly-Si, Rugged Poly-Si及CMP之W-plug处理之表面量测，或许环境干扰因素就不是很重要。但如果将SPM定位于全厂各种应用，则使用者就必需考虑Cost of Ownership（每一机台可提供多少应用）及环境干扰因素。
七、感谢
感谢DI公司，科荣股份有限公司及茂德科技股份有限公司提供详细资料及图片，并在中正大学物理系蔡定平老师及精仪中心林鹤南博士之指正下完成此文章。
八、参考文献
1. G. Binnig, H. Rohrer, C. Gerber, E. Weibel, Phys. Rev. Lett., 49, 57 (1982)
2. 林鹤南,李龙正,刘克迅，科仪新知第十七卷三期84.12，page 29
3. 蔡定平，量测资讯第54期，1997. 3, page 29
4. C.B. Prater, P.G. Mailvald, K.J. Kjoller, M.G. Heaton, DI brochure AN04, Rev. 3-97, “TAPPINGMODETM IMAGING APPLICATIONS AND TECHNOLOGY ”
5. Tadahiro Ohmi, M. Miyashita, M. Itano, T. Imaoka, I. Kawanabe, IEEE transactions on electron device, Vol. 39, March 1992, page. 537
6. Champion Yi, Michael Wu, William Su, Thomas Chang, “Rugged Polysilicon as underlayer for ONO capacitor for high density DRAMs.” SEMI TAIWAN Technical Symposium, page.181(1995)
7. Yale E. Strausser, M. Schroth, J. Sweeney III, “Characterization of the LPCVD grown rugged polysilicon surface using atomic force Microscopy” Presented at the 43th National Symposium of the American Vacuum Society, Oct. 1996 and published on JVST.
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9. Champion Yi, W.C. Tu, M. Chen, E. Tseng, H.C. Chen, P.J. Wang, Y.R. Shiue, T. Chang, “Performance of Tungsten CMP Slurry on Patterned Wafers ” SEMI TAIWAN Technical conference, page.177(1997).
10. Champion Yi, “Comparison between W-CMP and WED for contact plug formation”,2nd CMP-MIC conference, page 107(1997).
11. James J. Shen, Lee M. Cook, “Meeting the Challenge of submicron defect characterization on final-polished wafers ” , MICRO, March, 1997, P. 53.
12. Charles Evans and Associates brochure, “Silicon Wafer Analysis by AFM”, 1994, July.
13. Y.E. Strausser and M.G. Heaton, DI brochure AN07, 9/95. “IC FAILURE ANALYSIS AND DEFECT INSPECTION WITH SCANNING PROBE MICROSCOPY.”
14. K.L. Babcock, C.B. Prater, DI brochure AN11, 10/95, “Phase Imaging : Beyond Topography.”
15. A.N. Erickson, D.M. Adderton, Y.E. Strausser, R.J. Tench, DI brochure AN16, 9/96, “Scanning Capacitance Microscopy for Carrier Profiling in Semiconductors.”
九、 作者简介
陈恒生 台湾大学材料工程研究所,民国77年硕士班毕业。
清华大学材料系86级。
经历:科荣股份有限公司材料分析部门协理,代理事业处营业主管。
现职:科诚科技有限公司副总经理.
衣冠君 美国哥伦比亚大学材料博士。
现职:中芯半导体.经历
茂德科技股份有限公司
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